Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальное изображение

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Номер детали производителя:	DF11MR12W1M1B11BOMA1
Производитель:	Rochester Electronics
Часть описания:	IGBT MODULE
Даташиты:	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Даташиты
Бессвинцовый статус / статус RoHS:	Не содержит свинца / соответствует требованиям RoHS
Состояние на складе:	В наличии
Доставить из:	Hong Kong
Способ доставки:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАМЕЧАНИЕ: Rochester Electronics # C1 # доступен на сайте chipnets.com. Мы продаем только новые и оригинальные детали и предлагаем 1 год гарантии. Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более выгодную цену, свяжитесь с нами, нажмите онлайн-чат или отправьте нам предложение.

Все компоненты Eelctronics будут упакованы очень безопасно благодаря антистатической защите от электростатического разряда.

package

Технические характеристики

Тип	Описание
Серии	*
Упаковка	Bulk
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Функция полевого транзистора	Silicon Carbide (SiC)
Напряжение стока в источник (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A
Rds On (макс.) @ Id, Vgs	23mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (макс.) @ Id	5.5V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs	125nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	3950pF @ 800V
Мощность - Макс.	20mW
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Пакет / Кейс	Module
Комплект поставки устройства	Module

КУПИТЬ ВАРИАНТЫ

Состояние на складе: 83

Минимум: 1

Количество	Цена за единицу	Ext. Цена
Цена недоступна, просьба запросить предложение

Расчет фрахта

40 долларов США от FedEx.

Прибытие через 3-5 дней

Экспресс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатная доставка первых 0,5 кг для заказов на сумму более 150 долларов США, перевес оплачивается отдельно.

Популярные модели

	DF11MR12W1M1B11BOMA1 Rochester Electronics
	DF11MR12W1M1B11BPSA1 IR (Infineon Technologies)
	DF11MR12W1M1PB11BPSA1 IR (Infineon Technologies)

Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.