Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальное изображение

BSM600C12P3G201

Номер детали производителя:	BSM600C12P3G201
Производитель:	ROHM Semiconductor
Часть описания:	SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Даташиты:	BSM600C12P3G201 Даташиты
Бессвинцовый статус / статус RoHS:	Не содержит свинца / соответствует требованиям RoHS
Состояние на складе:	В наличии
Доставить из:	Hong Kong
Способ доставки:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАМЕЧАНИЕ: ROHM Semiconductor # C1 # доступен на сайте chipnets.com. Мы продаем только новые и оригинальные детали и предлагаем 1 год гарантии. Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более выгодную цену, свяжитесь с нами, нажмите онлайн-чат или отправьте нам предложение.

Все компоненты Eelctronics будут упакованы очень безопасно благодаря антистатической защите от электростатического разряда.

package

Технические характеристики

Тип	Описание
Серии	-
Упаковка	Tray
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока в источник (Vdss)	1200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	600A (Tc)
Напряжение привода (макс. Значения включены, минимальные значения включены)	-
Rds On (макс.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (макс.) @ Id	5.6V @ 182mA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs	-
Vgs (макс.)	+22V, -4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	28000 pF @ 10 V
Функция полевого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2460W (Tc)
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Комплект поставки устройства	Module
Пакет / Кейс	Module

КУПИТЬ ВАРИАНТЫ

Состояние на складе: 3

Минимум: 1

Количество	Цена за единицу	Ext. Цена
Цена недоступна, просьба запросить предложение

Расчет фрахта

40 долларов США от FedEx.

Прибытие через 3-5 дней

Экспресс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатная доставка первых 0,5 кг для заказов на сумму более 150 долларов США, перевес оплачивается отдельно.

Популярные модели

	BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor

Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.