Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальное изображение

SI7110DN-T1-E3

Номер детали производителя:	SI7110DN-T1-E3
Производитель:	Vishay / Siliconix
Часть описания:	MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
Даташиты:	SI7110DN-T1-E3 Даташиты
Бессвинцовый статус / статус RoHS:	Не содержит свинца / соответствует требованиям RoHS
Состояние на складе:	В наличии
Доставить из:	Hong Kong
Способ доставки:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАМЕЧАНИЕ: Vishay / Siliconix # C1 # доступен на сайте chipnets.com. Мы продаем только новые и оригинальные детали и предлагаем 1 год гарантии. Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более выгодную цену, свяжитесь с нами, нажмите онлайн-чат или отправьте нам предложение.

Все компоненты Eelctronics будут упакованы очень безопасно благодаря антистатической защите от электростатического разряда.

package

Технические характеристики

Тип	Описание
Серии	TrenchFET®
Упаковка	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока в источник (Vdss)	20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	13.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. Значения включены, минимальные значения включены)	4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ Id, Vgs	5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs (th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	-
Функция полевого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.5W (Ta)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Комплект поставки устройства	PowerPAK® 1212-8
Пакет / Кейс	PowerPAK® 1212-8

КУПИТЬ ВАРИАНТЫ

Состояние на складе: 4206

Минимум: 1

Количество	Цена за единицу	Ext. Цена
Цена недоступна, просьба запросить предложение

Расчет фрахта

40 долларов США от FedEx.

Прибытие через 3-5 дней

Экспресс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бесплатная доставка первых 0,5 кг для заказов на сумму более 150 долларов США, перевес оплачивается отдельно.

Популярные модели

Этот пункт был добавлен в Вашу корзину.